SK하이닉스 인디애나 팹 건설 현장 (웨스트라피엣<인디애나州>=연합뉴스) 홍정규 특파원 = SK하이닉스가 미 인디애나주 웨스트라피엣에 건설 중인 반도체 팹 현장

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 첨단 고대역폭 메모리 패키징 공장을 건립하며 현지 반도체 공급망의 핵심 생산 거점을 마련한다.

SK하이닉스는 미 인디애나주 웨스트라피엣 현지에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 어드밴스드 패키징 생산 시설의 기공식을 진행했다. 이번 사업은 미국 영토 안에서 현지화된 HBM 제조 시설을 짓는 첫 사례로, 클린룸을 오는 2028년 10월까지 완공한 뒤 2029년 하반기부터 본격적인 제품 출하를 목표로 삼고 있다. 이에 따라 엔비디아를 포함한 북미 지역 빅테크 기업들은 미국산 HBM을 공급받아 첨단 인공지능(AI) 가속기 제작에 활용할 수 있게 된다.

이번 기공식에 참석한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 신설 공장의 HBM 생산 규모가 매해 수십만 장 수준에 이를 것이라고 설명했다. 이는 국내 등에서 생산된 D램 웨이퍼를 미국으로 가져와 후공정을 거쳐 완성품으로 만드는 방식이다. 곽 사장은 이번 프로젝트가 미 현지에 구축되는 최초의 HBM 생산 인프라인 만큼, 자국 중심의 반도체 생태계를 조성하려는 미국 정부의 정책 기조와 맞아떨어지면서 미 안보와 경제 전반에 중대한 기여를 할 것이라는 점을 명확히 했다.

이번 공장 건설에는 총 40억 달러가 넘는 막대한 자금이 투입된다. 이에 맞춰 미국 정부는 반도체 지원법을 바탕으로 4억 5,000만 달러 규모의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 제공하기로 결정했다. 이와 별개로 SK그룹 미주 총괄 측은 2030년까지 미국 내에 총 450억 달러를 투자하겠다는 장기 로드맵을 공유했다.

새로 들어서는 공장은 국내에서 가공된 칩을 고성능으로 단층 적층하는 어드밴스드 패키징 작업과 차세대 메모리 기술 연구개발을 함께 수행하게 된다. 현재 SK하이닉스가 공급 중인 최신 6세대 제품(HBM4)의 뒤를 이어, 인디애나 팹에서는 개발 중인 7세대 제품인 'HBM4E'가 주요 양산 품목으로 지정될 예정이다.

연구 역량을 극대화하기 위해 SK하이닉스는 현지 명문인 퍼듀대학교와 협약을 맺고 공동 R&D 프로젝트 및 인재 확보에 나선다. 공장이 들어서는 부지 역시 퍼듀대 보유 부지를 활용한다. 생산 시설 운영에 따른 직접 고용 인력 1,000여 명을 포함해, 협력업체 유치와 공급망 형성을 통해 창출되는 직·간접 일자리는 7,000여 개에 달할 것으로 예상된다. 회사는 주한미군 전역자 대상 특채 트랙도 별도로 마련했다.

이날 행사에는 한국 측 경영진과 주미대사를 비롯해 인디애나 주지사, 미 연방 상원의원 등 양국의 핵심 정·재계 인사들이 총출동했다. 현장에 자리한 미 의회 관계자는 반도체 수급 불균형이 국가 안보에 미치는 위험성을 경고하며, 자국 내 제조 기반 확충을 통한 안정적인 반도체 자립의 중요성을 다시 한번 피력했다.