▲ 삼성전자, 업계 최선단 12나노급 D램 양산(사진=삼성전자 제공)

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램의 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 지난해 12월 제품 개발을 공개한지 5개월 만이다.

D램은 회로 선폭의 미세화 수준에 따라 세대를 구분하는데, 12나노급 D램은 5세대 10나노급 공정을 뜻한다. 삼성전자는 업계에서도 가장 선폭이 좁은 것으로 알려져, D램 미세 공정 경쟁에서 기술경쟁력을 확고히 했다.

삼성전자에 따르면 12나노급 D램은 이전 4세대(14나노급) 제품 대비 생산성이 20% 향상됐다. 극자외선(EUV) 노광장비 등 최선단 기술을 적용, 웨이퍼(원판) 한 장당 더 많은 양의 칩을 생산할 수 있다.

소비 전력은 전보다 23% 개선됐다. 데이터센터 등을 운영하는 글로벌 IT 기업들이 전력 운영 효율을 높여 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 기여할 전망이다.

칩 크기가 작아졌지만, 삼성전자는 D램이 안정적으로 동작할 수 있게 하는 기술을 적용했다.

삼성전자는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율(전기를 유도하는 성질·K)이 높은 신소재 적용으로, 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. 커패시터는 전자회로에서 전기를 일시적으로 저장하는 장치다. 

이 장치는 디지털 정보의 기본 단위인 0 혹은 1을 구분하는 방식으로 데이터를 저장하는데, 용량이 커질수록 데이터 판별이 쉬워지고 오류 발생이 줄어든다. 삼성전자는 여기에 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.

삼성전자의 DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(Gigabit per second)를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.